高功率、高效率功率PHEMT

摘要：

本文报告了研制的9.6mm栅宽双δ-掺杂功率PHEMT,在fo=11.2GHz、V<,ds>=8.5V时对该器件输出功率37.28dBm,功率增益9.5dB,功率附加效率44.7﹪,在V<,ds>=5～9V的范围内,该器件的功率附加效率均大于42﹪,两芯片合成,在10.5～11.3GHz带内,输出功率大于39.92dBm,最大功率达到40.37dBm,功率增益大于9.9dB,典型的功率附加效率40﹪.

关键词： 功率放大器 输出功率 微波性能

作者: 陈堂胜 杨立杰 周焕文 李拂晓 陈效建

作者单位: 南京电子器件研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 2001全国微波毫米波会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 411-413

在线出版日期: 2002-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）