RF-MEMS电感趋肤效应和邻近效应的分析
硅上微电感是RF-MEMS中至关重要的元件.本文提出一种改进的PEEC法<””1”>用于分析和计算它的趋肤效应和邻近效应.该方法结合了PEEC法和Weeks提出的直导体趋肤效应分析法<””2”>,据此法所编制程序的仿真结果与已有文献上给出的数据很好的相吻合.
趋肤效应 微电感 PEEC法
龙海波 张跃江 冯正和
清华大学电子工程系微波与数字通信国家重点实验室(北京)
国内会议
成都
中文
900-901
2002-05-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)