砷化镓射频开关复合介质包封退火技术

摘要：

对手机用砷化镓射频开关制作工艺中的离子注入及其退火技术进行了实验,认为φ76mm砷化镓圆片经光片注入Si离子后包封40nm SiO<,2>+60nm SiN进行快速退火的工艺方法先进,表面物理性能好,重复性和均匀性好,成品率高,器件性能优良.

关键词： 离子注入 包封退火 双层介质

作者: 钮利荣 徐筱乐 蒋幼泉 杨端良

作者单位: 南京电子器件研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 2001全国微波毫米波会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 701-703

在线出版日期: 2002-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）