超低相噪FET DRO

摘要：

通过采用综合技术,研制成功的超低相噪场效应晶体管介质振荡器(FET DRO),输出频率9.4GHz,相位噪声达到-78dBc/Hz/1KHz;-109dBc/Hz/10KHz长期频率稳定度;≤1*10<”-6>(4h).低成本高可靠超低相噪场FET DRO的研制成功,为替代复杂的锁相源或研制超低相噪锁相源成为可能.

关键词： 介质振荡器 相位噪声 FET 长期稳定度

作者: 袁景中

作者单位: 信息产业部电子十三所

会议类型: 国内会议

会议名称: 2001全国微波毫米波会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 476-478

在线出版日期: 2002-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）