基于表面势的MOSFET模型的模拟技术研究

摘要：

基于表面势的MOSFET模型与传统的基于阈值电压的MOSFET模型相比,具有连续性好、物理意义明晰、精确性高等特点,在小尺寸器件及RFIC的建模中日益受到重视.但是基于表面势的模型的缺点是计算量大,因此限制了它的应用.本文中针对基于表面势模型中关键的用迭代法求解表面势的过程,提出了一种较为精确的初始猜值算法,可以大大地提高计算效率.

关键词： MOSFET模型 表面势 迭代法 初始猜值 电路模拟器 CMOS器件

作者: 傅亚炜 周翔 章倩苓

作者单位: 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会电路与系统学会第十六届年会

会议地点: 宁波

会议语种:中文

页码: 407-410

在线出版日期: 2001-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）