用于T形栅光刻的新型移相掩模技术

摘要：

本文根据移相掩模基本原理,通过光刻工艺模拟提出了一种适于T形栅光刻的新型移相掩模技术:M-PEL.实验实验证明,M-PEL技术可在单层厚胶上经一次光刻形成理想的T形栅抗蚀剂形貌.

关键词： 光学光刻 移相掩模 T形栅 M-PEL 光刻工艺模拟

作者: 韩安云 王育中 王维军 张倩 陈宝钦 崔铮

作者单位: 信息产业部电子第十三研究所 中国科学院微电子中心(北京) 英国卢瑟福国家实验室微结构研究中心

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 270-272

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）