掩模加工畸变及其影响

摘要：

计算模拟了激光束和电子束直写加工的掩模畸变,并分别用理想掩模和有畸变的掩模进行投影光学光刻过程的模拟和比较,讨论了光学邻近效应校正掩模在加工过程中所产生的畸变对传递到最终基片上的图形的影响.分析指出,掩模加工中的邻近畸变应在设计光学邻近校正掩模时予以注意,即在掩模设计时,应把掩模加工中的邻近效应和光刻图形传递过程的邻近效应进行总体考虑,以便设计出最优化的掩模,获得最好的邻近效应校正效果.

关键词： 光学邻近效应 光刻模拟 掩模畸变 投影光学光刻 光刻图形质量

作者: 杜惊雷 崔铮 肖啸 杨静 郭永康

作者单位: 四川大学物理系(成都) Rutherford Appleton Laboratory,Chilton,Didcot,Oxon OX11 0QX,UK

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 265-269

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）