X射线光刻用Ta掩模制备技术研究

摘要：

掩模制备是X射线光刻的核心技术,电路设计图形的精确加工和曝光后高反差的形成是掩模制备的最终要求和目标.本文作者选用了Ta作吸收体材料,通过实验和优化磁控等离子体溅射及感应耦合等离子体刻蚀工艺,研究和制备了低应力X射线光刻用0.1μm尺寸SiNx/Ta结构掩模.

关键词： X射线光刻 干法刻蚀 钽结构掩模 制备技术

作者: 陈朝晖 叶甜春 胥兴才 李兵 陈大鹏 胥俊红

作者单位: 中国科学院微电子中心

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 259-261

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）