碳化硅X射线光刻掩膜初步研究

摘要：

本文报到了采用LPCVD方法制备碳化硅薄膜的初步结果,经XRD分析和背腐蚀成膜实验,获得了面积达20×30mm<”2>的薄膜窗口.此种方法可用于X射线光刻掩模衬基制备.

关键词： 碳化硅 LPCVD X射线光刻 光刻掩模 薄膜材料

作者: 陈大鹏 叶甜春 李兵 韩劲东 赵玲莉 胥兴才

作者单位: 中科院微电子中心

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 237-238,236

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）