向50nm拓进的光学光刻技术
非光学下一代光刻技术的缓慢进展和国际半导体技术发展规划(ITRS)的加速,使光学光刻肩负着IC产业的重任,进一步向亚波长图形领域进军.为此,人们开发了大量的光学光刻扩展技术.其中包括传统的缩短波长和增大数值孔径,以及为了扩展最小间距线间图形的分辨率而提高部分相干性.通过这些途径,在193nm曝光中实现了>0.8的数值孔径和0.85的部分相干性,并将进一步向157nm乃止126nm过渡.此间,离轴照明(OAI),移相掩模(PSM)和光学邻近效应校正(OPC)等K1因子将作为分辨率提高技术的核心,补充到光学光刻技术范畴.此外,光学光刻的扩展还将通过像场尺寸缩小和倍率增大的方法使步进扫描光刻机更好地支持并可望进入至少70nm的技术节点,乃至50nm的下一代光刻.
光学光刻 步进扫描 低K<,1>值成像 大数值孔径 缩短波长
童志义 葛劢冲
信息产业部电子第四十五研究所(甘肃平凉)
国内会议
成都
中文
151-156
2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）