ALsi金属化工艺和Ti/ALsi金属化工艺对大面积PIN光电二极管芯片暗电流的影响

摘要：

在制造PIN光电二极管的过程中,我们选用溅射Ti/ALsi,经湿法腐蚀后,测试芯片暗电流,发现在偏压比较高时暗电流增大,不符合要求.于是对比进行溅射ALsi,同样用湿法腐蚀后,测试芯片暗电流.试验对比表明,在同样偏压下,选用ALsi金属化工艺比选用Ti/ALsi金属化工艺可以获得更低的暗电流.尤其在比较高的偏压下,ALsi金属化工艺比Ti/ALsi金属化工艺的暗电流小将近一个数量级.

关键词： PIN光电二极管 暗电流要求 溅射 金属化工艺

作者: 王玮 张太平 宁宝俊 王兆江 张录

作者单位: 北京大学微电子所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 149-150

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）