超大规模集成电路中的离子注入技术

摘要：

在硅集成电路发展中,离子注入技术起着重要作用.最早它被用来进行MOSFET的沟道注入以调节其阈值电压,接着它替代热扩散用作MOS器件的源漏掺杂、CMOS电路中的阱区(P阱、n阱)以及场区隔离的掺杂等,它同硅栅自对准工艺结合,逐渐成为硅大规模集成电路的关键技术之一.

关键词： SOI结构 离子注入 超大规模集成电路

作者: 刘忠立

作者单位: 中国科学院半导体研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 148,147

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）