测量SIMOX材料顶部硅层的施主行为

摘要：

本文分析了SIMOX材料的光致发光谱(PL),判断顶部硅层单晶完整性.对比二次离子质谱(SIMS)结果,分析PL谱中谱峰对应顶部硅层中的O施主、与C和N杂质含量或界面的扩展缺陷有关.用扩展电阻(SRP)方法测量了SIMOX样品的电特性,证明SIMOX材料顶部硅层的施主行为.

关键词： 顶部硅层 光致发光谱 二次离子质谱分析 扩展电阻法 注氧隔离硅 电特性

作者: 罗晏 梁宏 马芙蓉 李晓明 陈如意 夏稷 周宏余

作者单位: 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学低能核物理所,北京市辐射中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 143-147

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）