SIMOX圆片制备技术及其进展
SOI(silicon on insulator)较之体硅技术具有以下优越性:低压低功耗、高速、耐高温以及抗辐照、减小软误差等.SIMOX技术制备的SOI圆片具有工艺简单、顶层硅质量好且厚度可控、重复性和均匀性好等优点,是目前大规模商品化SOI圆片供应技术之一.目前SIMOX圆片制备的主流发展方向为低剂量技术.低剂量注入有以下优点:1、提高抗总辐射剂量能力比厚氧化层好;2、优良的导热性;3、薄SOI对薄膜器件制造很有吸引力;4、可大幅度降低成本.本文将综述目前SIMOX圆片发展的各个方面,包括标准剂量、中低剂量以及超薄SIMOX圆片制备技术及圆片质量比较,给出它们在集成电路中的应用.同时,简单介绍SOI技术在光通信领域的应用.此外,本文将介绍上海冶金所中国科学院知识创新项目”SOI材料与器件”所取得的进展,这些进展包括以下方面:4英寸SIMOX圆片制备技术;解决了表层硅的反型问题;金属玷污问题;表层硅缺陷密度的降低;表层硅单晶质量的提高;埋层针孔密度的明显降低;拓宽了亚临界剂量下注入的剂量能量窗口,利用优化的能量剂量匹配制备一一系列高质量的低剂量SIMOX圆片等.
注氧隔离技术 中低剂量 注氧隔离硅 制备工艺 智能剥离
陈猛 林梓鑫 王曦
中国科学院上海冶金研究所(上海)
国内会议
成都
中文
137-139
2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）