退火气氛对低能低剂量SIMOX圆片结构的影响
实验中采用不同的能量和剂量注入制备低能,低剂量SIMOX(注氧隔离硅)圆片.选取2.5×1017cm<”-2>,3.5×1017cm<”-2>两个注入剂量,注入能量分别是100,70KeV和130,100,70KeV.注入温度为680℃,偏转注入角7°.注入后经1310℃,5个小时的氩气保护下高温退火.借助剖面透射电镜(XTEM)研究了薄膜SIMOX结构和各制备工艺参数之间的关系.结果发现在低剂量SIMOX圆片制备中,存在能量和剂量的依赖关系,对于一定的注入能量存在一个优化的剂量范围.另外,还研究了退火气氛对提高埋层SiO<,2>质量的作用.当氩气氛中氧的含量从0.5﹪提高到3﹪时,得到了连续无硅岛的埋层SiO<,2>,而且其界面质量也提高了.说明内热氧化(ITOX)过程明显受到了退火气氛中氧浓度的影响,高的氧浓度有助于提高埋层SiO<,2>层的质量.
退火 低剂量注氧隔离硅圆片 剖面透射电镜 内热氧化 埋层二氧化硅 离子注入
王湘 陈猛 林梓鑫 陈可炜 王曦
中科院上海冶金研究所离子束开放室(上海)
国内会议
成都
中文
133-136
2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）