反应离子刻蚀制作SOI脊形光波导

摘要：

SOI(silicon-on-insulator)光波导是硅基光波导器件的基础上,也是实现其它有源器件无源器件以及光学器件交叉连接的基础.三维脊形光波导引入水平方向的折射率差,加强了波导对光场的限制,可以实现大截面尺寸单模传输的SOI光波导.采用反应离子刻蚀方法制作了脊形SOI光波导.本文讨论了气体流量、射频功率以及刻蚀深度对刻蚀速率的影响,分析了硅的各向异性反应离子刻蚀机理.通过优化工艺条件,制作出边缘垂直的脊形结构SOI光波导.

关键词： SOI 光波导 反应离子刻蚀 工艺条件 刻蚀速率

作者: 严清峰 魏红振 夏金松 余金中

作者单位: 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 118-122

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）