SOI等多层结构材料智能剥离制备技术

摘要：

中等剂量的氢离子注入硅片后,经恰当的热处理,可形成埋层微空腔层,并进而使硅膜剥离.结合低温键合工艺,可使一薄层的硅膜转移到另一衬底上形成多层结构材料.利用这种智能剥离技术成功地制备了高质量的SOI和SOM材料.

关键词： SOI 多层结构材料 剥离 质量表征 硅片键合质量

作者: 竺士炀 黄宜平 鲍敏杭

作者单位: 复旦大学微电子学系

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 112-115

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）