选择离子注入集电极技术在双层多晶硅发射极晶体管中的应用

摘要：

为提高超高速双极晶体管的电流增益,降低大电流下基区扩展效应对器件的影响,我们将选择离子注入集电区技术(SIC)应用于双层多晶硅发射极晶体管中.电学特性测量结果表明,经过离子注入的多晶硅发射极晶体管的电流增益和最大电流增益对应的集电极电流明显高于未经离子注入的晶体管.因此,在双层多晶硅晶体管中采用SIC技术有效地降低了基区的扩展效应,提高了器件的电学特性.

关键词： 选择离子注入集电区技术 双层多晶硅发射极晶体管 基区扩展效应 电学特性测量

作者: 金海岩 张利春 高玉芝

作者单位: 北京大学微电子学研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 108-111

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）