不同能量氮氧共注入形成多层埋层结构

摘要：

将氮和氧离子在不同能量下次次注入于硅圆片并高湿退火,形成具有Si-N-O/Si/SiO<,2>夹心埋层的SOI结构.对该样品做了截面透射电镜(XTEM)、二次离子质谱(SIMS)、扩展电阻和击穿场强等测试.发现氮在界面处有明显的富集效应,而且氮在前界面的富集行为明显大于其在后界面的.击穿场强为8×105V/cm,低于低剂量SIMOX样品(4～5.5×106V/cm),这可能是由于其埋层中有大量硅岛有关.

关键词： SOI 离子注入 氮氧共注入 多层埋层结构

作者: 刘相华 陈静 陈莉芝 林梓鑫 陈猛 王曦 刘忠立

作者单位: 中国科学院离子束开放实验室 中国科学院半导体研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 104-107

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）