智能剥离技术中的几个问题研究
智能剥离(smart cut)技术是近年来刚刚兴起的一种新型的形成SOI材料的方法.它所形成的SOI材料其顶层硅膜具备单体晶硅的优点,同时又克服了利用普通键合技术形成SOI材料的减薄困难,是当前SOI技术研究中的前沿领域.本文讨论了智能剥离技术中的一些问题,包括:(1)SOI材料的表面缺陷(泡,微空洞,边缘缺陷等)的形貌,起源及消除办法;(2)给出SOI材料顶层硅内重金属杂质分布的SIMS测量结果.
SOI 智能剥离 注氢 表面缺陷 SIMS 重金属分布
李映雪 北京大学微电子研究所(北京) 田大宇 北京大学微电子研究所(北京) 许晓燕 北京大学微电子研究所(北京) 黄如 北京大学微电子研究所(北京) 张兴 北京大学微电子研究所(北京) 罗晏 陈如意 梁宏 马芙蓉
北京师范大学射线技术与材料改性教育部重点实验室(北京) 北京师范大学低能物理研究所(北京)
国内会议
成都
中文
101-103
2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）