硅中H+,He+共注入所引起的新效应以及在Smart-cut SOI中的应用

摘要：

研究了硅中H<”+>,He<”+>共注入所引起的新效应以及共注入对硅材料的缺陷、气泡和小平面等的形成和演化的影响,深入研究了H+/He+离子共注入次序和剂量对Smart-cut SOI工艺的影响,得到H<”+>/He<”+>离子共注入可以降低Smart-cut SOI注入剂量,降低了SOI成本.

关键词： 硅 氢,氦共注入 薄膜剥离技术 SOI材料 注入剂量

作者: 林成鲁 多新中 张苗 林梓鑫

作者单位: 中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 92-96

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）