衬底温度对PLD法制备的ZrO2薄膜结构和电学性能的影响

摘要：

采用脉冲激光沉积法(PLD)分别在Pt/Ti/SiO<,2>/Si和SiO<,2>/Si衬底上制备了ZrO<,2>薄膜,采用扩展电阻法研究了薄膜纵向电阻分布;通过XRD测试研究了衬底温度对ZrO<,2>薄膜结晶性能的影响;薄膜表面形貌通过SEM观察,并测试了薄膜的表面粗糙度;初步讨论了薄膜结晶性能对其电学I-V特性之间的关系.

关键词： PLD法 衬底温度 薄膜结构 电学性能 脉冲激光沉积 气体传感器

作者: 章宁琳 宋志棠 刑溯 万青 林成鲁

作者单位: 中国科学院上海冶金所信息功能材料国家重点实验室(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 345-348

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）