SOI新结构及其应用

摘要：

SIMOX和Smart-cut SOI技术已走向商业化,但一般SOI结构是以SiO<,2>作为绝缘埋层,导致一些不利的影响(如自加热效应等),限制了其应用,为解决这些问题和满足一些特殊器件/电路的要求,探索研究新的SOI研究领域新的热点.如GPSOI、SiCOI、GeSiOI、Si on AlN、SOIM、SON、SSOI等.本文结合我们的部分工作,报道SOI新结构及其应用.

关键词： SOI新结构 自加热效应 埋层氧化硅 热导率 离子束增强沉积

作者: 谢欣云 林青 门传玲 安正华 张苗 林成鲁

作者单位: 中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 332-334

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）