铟镓氮薄膜的MOCVD生长

摘要：

运用金属有机物气相外延设备,在氮化镓/蓝宝石复合衬底上外延生长铟镓氮薄膜,该薄膜为单晶,其中铟组份可调(从0到26﹪),且对应的峰值波长在360～555nm范围内变化;在光致激发下该薄膜实现了带边发光,但发光强度随着铟含量的增加而下降;虽然在铟镓氮薄膜中未掺入任何杂质,但其都具有很高的电子浓度.

关键词： 铟镓氮 MOCVD 晶体生长 金属有机物气相外延

作者: 韩培德 陈振 李昱峰 刘祥林 王晓晖 袁海荣 陆沅 汪度 陆大成

作者单位: 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 328-331

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）