X射线光刻技术研究

摘要：

作者对同步辐射X射线光刻技术,包括掩膜、对准技术、光刻工艺及模拟、器件与电器制作进行了研究,已建立起一套较为完整的深亚微米X射线光刻技术,并研制出0.15微米的GaAs PHEMT器件与0.25微米的GaAs实验电路.

关键词： X射线光刻 掩模 光刻工艺 对准技术

作者: 叶甜春 谢常青 陈大鹏 李兵 胥兴才 赵玲莉 韩敬东 胥俊鸿 陈朝晖 孙加兴 杨清华

作者单位: 中国科学院微电子中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 5-8

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）