一种星用双向导通PIN驱动器的抗辐射设计

摘要：

本文介绍了一种星用双向导通PIN驱动器的抗辐射设计,主要考虑了氧化层中的电荷对硅表面导电性能改变所造成对电路的影响,通过摸底试验验证,经过电路版图和工艺的优化设计,电路抗辐射总剂量可望达到10<”7>rad(Si).

关键词： PIN驱动器 抗辐射能力 电路设计 工艺设计

作者: 江军 谭开洲

作者单位: 信息产业部电子第24研究所(重庆)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 667-670

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）