深亚微米CMOS器件缩小所面临的课题

摘要：

随着CMOS器件的不断缩小,特别是进入亚0.35微米以后,将会面临从未有过挑战.要抑制日益严重的短沟道效应,解决性能要求与功耗的矛盾;寻找新的栅介质材料的需要也显得越来越迫切.本文叙述了85埃厚栅氧可靠性结果,并且结合器件结构的进展,探讨了一些有希望的解决方案.

关键词： CMOS器件 器件结构 短沟道效应 器件缩小

作者: 石振东 孙涛

作者单位: 首钢日电电子有限公司

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 613-615

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）