大面积硅PIN探测器的研制
本文主要介绍了采用“离子注入”和低温热处理等工艺研制高性能大面积PIN器件技术以及探测器的主要电学特性.高阻N型硅片上有源区面积为10×10mm<”2>和16×17mm<”2>的两种二极管实验样品在全耗尽偏置电压下(Vd=70V),环境温度为25℃时的暗电流分别为1.31nA和2.96NnA,暗电流达到≤5nA的性能指标,端电容分别为≤50pF和≤120pF.器件的电学性能良好,在量能器等应用系统中是一种理想的光探测器元件.
PIN二极管 暗电流 探测器 离子注入 制作工艺
宁宝俊 张录 张太平 袁坚 田大宇 张维 马连荣
北京大学微电子所 中国原子能研究院
国内会议
昆明
中文
562-565
2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）