一种简单逻辑门的抗总剂量辐射设计

摘要：

在MOS数字电路的抗总剂量辐射研究中,若不对MOS器件进行总剂量从工艺上进行加固,那么按通常方法设计的CMOS数字电路的噪声容限很容易变得很低,影响电路的正常工作.我们从电路上提出了一种可以有效抑制数字电路的转移特性曲线平移的设计方法,使得CMOS数字电路的噪声容限得以保持.

关键词： MOS器件 数字电路 总剂量加固 辐射设计 噪声容限

作者: 谭开洲 郭林 杨谟华

作者单位: 电子24所(重庆) 电子科技大学(成都)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 556-558

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）