高电场应力对MOS管阈值电压的影响

摘要：

采用高电场应力研究了MOS管阈值电压漂移现象,认为可以作为一种较高总剂量辐射情况下的一种评估手段之一.

关键词： MOS管 抗总剂量辐射 阈值电压 高电场应力

作者: 谭开洲 郭林 杨谟华

作者单位: 信息产业部电子24所(重庆) 电子科技大学(成都)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 553-555

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）