交替应力下热载流子导致的MOS器件退化特性研究

摘要：

本论文对深亚微米MOS器件中热载流子效应进行了研究.讨论了交替应力下的热载流子效应对器件退化性能的影响.本文通过实验指出,动态应力退化特性并不是静态应力特性的简单再现,而是静态应力研究中发现的各种效应的综合体现.器件的总退化量基本符合以界面态产生为主的退化规律.

关键词： MOS器件 热载流子 退化性能 交替应力 器件退化

作者: 刘红侠 郝跃 张卫东

作者单位: 西安电子科技大学微电子所(西安)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 545-548

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）