多晶硅后热退火引起SiO2栅介质可靠性下降及其抑制方法

摘要：

本文对多晶硅后高温退火对热SiO<,2>可靠性的退化作用进行了实验研究,并采用N<,2>O氮化抑制了多晶硅后高温退化效应.

关键词： SiO<,2>栅介质 多晶硅后退火 可靠性退化 抑制方法

作者: 高文钰 万新恒 张兴 刘忠立

作者单位: 北京大学微电子学研究所(北京) 中国科学院半导体研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 541-544

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）