氮化H2-O2合成薄栅氧抗辐照研究

摘要：

本文对氮化H<,2>-O<,2>合成薄栅氧抗辐照性能进行了研究,将H<,2>-O<,2>合成和氮氧化栅两种技术结合起来,充分利用两者的优点制成三层结构的Sandwich栅,对比了常规氧化、H<,2>-O<,2>合成氧化和氮化H<,2>-O<,2>合成氧化三种方式及不同退火条件得出:氮化H<,2>-O<,2>合成氧化方法抗辐照性能最佳、采用硅化物工艺+快速热退火是未来抗辐照工艺发展的趋势;并对氮化H<,2>-O<,2>合成栅的抗辐照机理进行了研究.

关键词： 氮化H<,2>-O<,2>合成 抗辐照 快速热退火 薄栅氧

作者: 刘运龙 中国科学院半导体研究所(北京) 刘新宇 中国科学院半导体研究所(北京) 孙海锋 中国科学院半导体研究所(北京) 海潮和 中国科学院半导体研究所(北京) 吴德馨 中国科学院半导体研究所(北京) 和致经 中国科学院半导体研究所(北京) 刘忠立 中国科学院半导体研究所(北京)

作者单位: 中国科学院微电子中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 507-511

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）