CMOS/SOI 4Kb SRAM总剂量辐照实验

摘要：

本文对CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器的抗总剂量辐照性能进行研究.CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器采用1K×4的并行结构体系,其地址取数时间为30ns,芯片尺寸为:3.6mm×3.84mm;在工作电压3V时,CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器抗总剂量高达5×10<”5>Rad(Si),能较好的满足军用和航天领域的要求,这是国内首次完成CMOS/SOI大规模集成电路的辐照研究.

关键词： 抗总剂量辐照 CMOS/SOI静态随机存储器 大规模集成电路 辐照实验

作者: 刘新宇 刘运龙 孙海锋 吴德馨 和致经 刘忠立

作者单位: 中国科学院微电子中心(北京) 中国科学院半导体研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 503-506

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）