4-9nm n-MOSFETs热载流子退化及寿命预测

摘要：

本文对4-9nm n-MOSFETs进行了沟道热载流子应力加速寿命实验,在饱和漏电流退化特性的基础上提出了适用不同氧化层厚度器件的寿命预测模型,并进行了寿命预测.

关键词： MOS器件 热载流子 退化特性 寿命预测 氧化层厚度

作者: 穆甫臣 许铭真 谭长华 段小蓉

作者单位: 北京大学微电子所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 498-502

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）