薄栅介质层中的直接隧穿和FN隧穿电流

摘要：

精确求解隧穿电流的结果表明了经典的Fowler-Nordheim公式只是在高场下近似适用,而直接隧穿公式在低场下近似适用.对于超薄氧化层的MOS器件的应力实验,直接隧穿电流就必须被考虑.

关键词： 半导体材料 薄栅介质层 隧穿电流 氧化层厚度

作者: 卫建林 毛凌锋 许铭真 谭长华

作者单位: 北京大学微电子研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 495-497

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）