SiO2/Si界面粗糙度对FN振荡电流的影响

摘要：

从理论方面研究粗糙界面对FN隧穿电流的振荡效应的影响.数值模拟的结果表明:极值漂移随粗糙度的增加线性而增大,界面粗糙度对FN振荡的振幅影响较小.

关键词： SiO<,2>/Si 氧化层 界面粗糙度 FN振荡电流

作者: 毛凌锋 卫建林 谭长华 许铭真

作者单位: 北京大学微电子所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 492-494

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）