高频C-V曲线提取MOS结构中氧化层厚度方法的比较研究

摘要：

在本文中比较了三种利用高频C-V曲线提取MOS结构中氧化层厚度的方法,描述了每种方法的优缺点,并且利用这三种方法提取了现有的样品(MOS电容器)的氧化层厚度.

关键词： MOS器件 氧化层厚度 提取方法 高频C-V曲线

作者: 张贺秋 许铭真 谭长华

作者单位: 北京大学微电子所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 488-491

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）