基于栅应力电流的SiO2可靠性预测统一模型

摘要：

关于SiO<,2>可靠性预测模型已经历多年的争论.本文介绍了基于栅应力的SiO<,2>可靠性预测模型,探讨了电场加速应力实验中,常常观察到电场加速因子偏小的原因.

关键词： SiO<,2> 可靠性预测 预测模型

作者: 谭长华 许铭真

作者单位: 北京大学微电子研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 482-483

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）