亚微米ASIC电路抗ESD设计技术

摘要：

本文介绍了亚微米电路抗静电的主要机理及其解决办法,并提出一套行之有效的实现措施,同时也给出了其实验结果.

关键词： ESD注入 失效机理 专用集成电路 抗静电 设计技术

作者: 王隆望

作者单位: 北京微电子技术研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 477-481

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）