下一代光刻技术—极紫外光刻(EUV)

摘要：

本文讨论了光学光刻进一步发展遇到的技术问题,介绍了下一代光刻——极紫外光刻(EUV)的关键技术,并从整机研制考虑,初步探讨了各关键单元技术设计指标.

关键词： NGL技术 X射线刻划技术 极紫外光刻 光学光刻 技术指标

作者: 刘业异 姚汉民 胡松

作者单位: 中国科学院光电技术研究所(成都)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 157-160

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）