等离子体浸没式O2+离子注入Si片计算机模拟
本文采用PIC(Partical in call)方法,用数值方法求解基于网格上的Poisson方程,求得等离子体鞘层中的电位分布及电场分布.位于等离子体鞘层中的所有离子,在各个时刻都受到电场的作用力而作加速运动,离子的运动轨迹一般不再是直线.本文采用Verlet(The Vrerlet Scheme)方法跟踪离子的位置变化.并假定一个很小的时间间隔Δt内,离子的运动轨迹为直线.由于离子的运动改变了等离子体鞘层中的电荷分布,因此必须重新求解Possion方程式得到新的电位分布及电场分布,算出离子下一步的运动轨迹.这样不断循环直到鞘层内大部分O<,2><”+>离子注入Si片或碰到内壁.本文着重考察了负脉冲波形各个阶段,O<,2><”+>离子注入剂量径向分布的变化,以及O<,2><”+>离子的注入角分布、能量分布.对等离子体浸没式离子注入的微观过程有一个初步了解.
等离子体 离子注入 SOI PIC 脉冲波形 能量分布
江炳尧 郑志宏 张福民 杨石奇 王曦
中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室(上海)
国内会议
成都
中文
87-91
2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）