ULSI亚0.1μm器件对超浅结的需求和相关离子掺杂新技术的发展

摘要：

ULSI的飞速发展对器件加工技术提出了众多特殊要求.其中,MOS器件特征尺寸进入亚0.1μm领域时亚50nm超线结掺杂区的形成就是一个重要的挑战.本文论述了深亚和超深亚微米MOS器件对超浅结离子束掺杂技术的特殊要求和发展超浅结的主要动力,介绍了目前超浅结离子掺杂技术的最新发展并对其前景进行了展望.

关键词： MOS器件 超浅结 离子掺杂 超深亚微米技术 离子注入

作者: 何进 张兴 黄如 杨岩

作者单位: 北京大学微电子学研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 79-86

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）