质子轰击GaAs的X光衍射检测分析

摘要：

本工作采用X光衍射方法对经质子轰击工艺的GaAs样品做了分析测试,得出了GaAs经质子轰击及随后退火工艺造成缺陷的信息情况,本工作发现多个能量的叠加质子轰击及退火能改进GaAs材料的表层质量.

关键词： GaAs 质子轰击 X光衍射 晶格损伤缺陷 退火工艺处理

作者: 李建明 徐嘉东 杨占坤

作者单位: 中国科学院半导体研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 77-78

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）