用PIXE分析技术测量晶片表面的污染
本文介绍了PIXE(质子激发X射线发射)分析技术分析硅晶片表面杂质元素的探测灵敏度、最低可探测限以及对一些实际样品分析结果.
晶片 污染 硅 质子激发X射线发射技术 样品分析
朱光华 卢殿通 汪新福 周宏余
北京师范大学低能核物理研究所,射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京市辐射中心(北京)
国内会议
成都
中文
75-76,69
2001-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
晶片 污染 硅 质子激发X射线发射技术 样品分析
朱光华 卢殿通 汪新福 周宏余
北京师范大学低能核物理研究所,射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京市辐射中心(北京)
国内会议
成都
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75-76,69
2001-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)