B+注入Si上Ge薄膜特性研究
在n-Si衬底上分别注B<”+>1×10<”13>cm<”-2>50kev和注矿5×10<”12>cm<”-2>50kev形成p-n结后再用MBE外延800nm厚的Ge膜:在n-Si衬底上用MBE外延一层p-Si形成p-n结后再用MEB外延800nm厚的Ge膜.利用透射电镜、X光双晶衍射、红外吸收谱、Hall剥层测量等方法对Ge膜分析比较,Ge膜的单晶质量、光电特性都比较好,直接生长的Ge膜的质量要优于经离子注入的Ge膜:但p-n结特性即是经离子注入的要好于直接生长.
雪崩光电二极管 离子注入 硅衬底 半导体薄膜特性
李科 杨茹 李国辉 彭长囚
北京师范大学低能核物理研究所,北京师范大学射线束材料工程开放实验室(北京) 中国科学院物理所(北京)
国内会议
成都
中文
72-74
2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）