对N型InP注入氦离子的电特性研究

摘要：

本实验针对N型InP做氦离子注入及随后的退火,并用C-V测试方法测量样品中缺陷的电特性,测量结果显示,氦离子注入在InP中引起的损伤可以形成P型导电区域,经过一定的退火,P型导电区可以得到一定的恢复而形成一种NPN的电结构.

关键词： InP 氦离子注入 C-V测试 缺陷 半导体材料

作者: 杨占坤 徐嘉东 李建明 张秀兰

作者单位: 中国科学院半导体研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 70-71

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）