SiGe/Si异质结中的注氢行为的初步研究

摘要：

SiGe-OI新材料的制备具有重要的意义.采用键合技术制备SiGe-OI材料的技术现在还处于探索阶段.本文通过研究SiGe/Si异质结的注氢行为来讨论通过键合来转移SiGe薄膜的可能性,得出了经过适当热处理SiGe层可以从气泡空腔层处剥离开来的结论.本文同时分析了SiGe层中注氢与Si不同的原因是SiGe/Si异质结存在的应变和SiGe材料中存在的各种共价键的键能.

关键词： H<”+>注入 SiGe-OI材料 键合技术 异质结结构

作者: 安正华 张苗 沈勤我 林成鲁 李开成

作者单位: 中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室(上海) 信息产业部电子24所模拟集成电路国家重点实验室(重庆)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 348-351

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）