有弛豫缓冲层的SiGe HMOSFET材料

摘要：

利用超高真空气相外延(UHV/CVD)设备SGE400生长了有弛豫缓冲层的Si<,1-x>Ge<,x>MOSFET材料.采用多种手段分析了材料的生长速率、生长质量.结果证明SGE400系统可以较好控制Ge的组分,并得到高质量的外延片,是一种很有希望的Si/SiGe外延生长设备.

关键词： SiGe材料 生长速率 生长质量 超高真空气相外延

作者: 黄文韬 刘志农 罗光礼 陈培毅 钱佩信

作者单位: 清华大学微电子研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 343-347

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）