UHV/CVD自组织生长Ge量子点

摘要：

利用UHV/CVD设备自组织生长了Ge量子点.结果显示生长温度对量子点的尺寸、形状和分布有较大影响.550℃和600℃下生长的Ge量子点呈现为两种典型的尺寸,量子点密度都高于10<”10>/cm<”2>,且其大小均匀性也很好;其中550℃下所生长的大量子点底部直径为80nm,小量子点底部直径为只有45nm.而在700℃下生长的Ge量子点,其尺寸明显变大,均匀性也变差.

关键词： Ge量子点 自组织生长 制备方法 超高真空气相外延

作者: 罗广礼 黄文韬 史进 黎晨 陈培毅 钱佩信

作者单位: 清华大学微电子学研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 340-342

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）